研究了传输栅掺杂，即N+TG和P+TG，对满阱容量以及暗电流的影响。沟道电势分布受传输栅与衬底功函数差的影响，随着钳位光电二极管和浮动扩散节点之间的势垒高度的增加，feedforward效应被抑制，满阱容量增加。另一方面，处于电荷积累状态的沟道可以降低暗电流。基于四管有源像素工作过程进行仿真，结果表明，在曝光期间不加负栅压的情况下，基于P+TG的像素的满阱容量相对N+TG的提高了26.9%，其暗电流为N+TG的0.377倍。当电荷转移效率大于99.999%时，N+TG的开启电压需高于2.3 V，而P+TG的开启电压需高于3.0 V。

在CCD成像电路的研发过程中，为了确保CCD达到最优的满阱性能，需要不断调整CCD驱动信号参数并进行满阱测试，该过程通常需要重复几十甚至上百次。通用的光子转移曲线法需要积分球等设备搭建平场光源，系统复杂，满阱测试效率较低。提出了一种满阱测试方法——LED点测试法，该方法通过光子转移曲线法获取系统增益后，仅通过搭建LED点光源配合普通民品镜头即可实现CCD满阱测试。基于载荷CCD成像电路，使用LED点测试法进行测试。结果表明，载荷CCD的满阱电子数可达817.013ke^-，误差不大于0.643%。针对LED点测试的同组数据采用传统满阱测试方法进行测试，对比结果表明，LED点测试法和传统测试方法相对光子转移曲线法的误差分别为0.039 7%和1.9%。LED点测试法可用作简易条件下快速测量CCD满阱的通用方法，能够提升CCD成像电路的研发效率。