1 北京工业大学 电子信息与控制工程学院，北京 100124
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏 苏州215123
研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明，低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污，从而抑制造成光致发光中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成，所制备的材料表现出较好的光学性能。同时，不同生长压力下的GaN薄膜表现出相异的电学性能，即在500Torr下生长的样品通常表现出更高的载流子浓度（（4.6~6.4）×1016cm-3）与更高的迁移率（446~561cm2/(V·s)），而100Torr下生长的样品通常表现为更低的载流子浓度(1.56~3.99)×1016cm-3与更低迁移率（22.9~202cm2/(V·s)）。
生长压力 光致发光 载流子浓度 载流子迁移率 GaN GaN MOCVD MOCVD growth pressure photoluminescence carrier concentration carrier mobility
