选取光电倍增结构探测器, 在聚(3-己基噻吩)(P3HT)∶［6,6］-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)中掺入小比例碳60(C60)作电子陷阱, 研究了在陷阱辅助作用下引入阴极空穴隧穿注入产生光电倍增的机理以及C60浓度对器件光电性能的影响.当电子陷阱C60浓度为1.5 wt.%时, －0.5 V偏压下探测器在波长为455 nm、光功率为0.21 mW·cm－2光照下外量子效率为436.4%, 响应度为1.62 A·W－1, 比探测率为2.21×1013 Jones, 线性动态范围约为100 dB.光照下部分光生电子被活性层中的陷阱俘获, 特别是在靠近阴极Al处的电子积累, 将诱导阴极空穴隧穿注入, 结合利用体异质结探测器低工作电压的优势, 可大幅提高光电流, 从而获得低工作电压、高比探测率的探测器.

采用高温固相法制备了CaAl2O4∶Eu2+,Li+ 发光材料，并讨论了掺杂Li+对CaAl2O4∶Eu2+发光性质的影响。X 射线衍射(XRD)和PL测试分析表明，在CaAl2O4∶Eu2+中掺入Li+后，Eu2+ 的发光有一定的增强，而余辉时间则延长了4倍左右。通过热释光谱测量，分析了其陷阱能级的数量并估算了陷阱能级深度。结果表明，掺杂Li+会在发光离子周围产生更多的电子陷阱，使陷阱的密度和深度增加，从而提高荧光粉的余辉性能。

聚四氟乙烯、聚乙烯、有机玻璃等介质材料因其良好的透波性能和优异的机械性能被广泛用作高功率微波的输出窗口, 但关于窗口加工处理工艺对材料介电性能的影响却少有研究。利用高压电桥及高阻计对不同介质材料不同工艺下的基本介电参数进行了测量, 利用静电感应法对不同介质材料表面0.8~0.9 eV浅能级的电子陷阱密度分布进行了测试, 利用波导口开展了S波段800 MW、百ns微波脉冲作用下的介质击穿实验, 考察了材料表面粗糙度、划痕对介质窗表面击穿的影响。结果表明: 烘烤工艺在一定程度上降低了材料的耐击穿性能, 增加了介质损耗; 平行于电场方向的划痕形成了材料表面击穿的通道, 而该通道的存在又进一步加剧了击穿的发生。

为了进一步理解光导开关非线性工作模式机理,通过实验以及理论研究方法,研究了半绝缘GaAs光导开关工作于非线性模式下在不完全击穿前后暗态阻值的变化,认为击穿阶段和锁定阶段改变了材料内部位错区域As原子的形态以及局部电子陷阱EL2的浓度,导致了击穿后暗态阻值的减小.

利用微弱信号的微波吸收相敏检测技术,在短脉冲激光作用下,测量了在不同碘化物掺杂方式和掺杂量下的AgBr-T颗粒中自由光电子和浅束缚光电子随时间的衰减曲线,根据测得的衰减曲线得到了不同条件下的自由光电子寿命(FLT)、自由光电子衰减时间(FDT)及浅束缚光电子衰减时间(SDT)值,通过比较这些值分析了碘化物在AgBr-T颗粒中的作用和碘化物对AgBr-T颗粒的感光性能的影响。详细分析了碘含量小于、大于以及等于3%的吸收信号和色散信号曲线,讨论了曲线上各个区的影响因素。

研究了4块ZnS∶Te薄膜样品(Te组分从0.5%到3.1%)的光致发光谱在常压下的温度特性.对于Te组分较小的2块样品观察到2个发光峰,分别来自Te1和Te2等电子陷阱;而对Te组分较大的2块样品则只观察到1个来自Te2等电子陷阱的发光.我们还研究了这些发光峰在低温15K下的流体静压压力行为.观察到与Te1有关的发光峰压力系数比ZnS带边的要大很多,而与Te2有关的发光峰压力系数则比带边小.根据Koster-Slater模型,价带态密度半宽随压力的增加是Te1中心有较大压力系数的主要原因,而Te1和Te2中心的不同压力行为则是由于压力对两者缺陷势增强的不同效果引起的.

测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0～7.8GPa静压下的光致发光谱.观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚激子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的.还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象.

PDP中的蓝色荧光粉是BAM单相和Ba-β氧化铝的混合体。蓝色荧光粉的退化主要是位移氧附近的深能态电子陷阱。这种电子陷阱增加了非辐射发射，退化了发光强度维持系数。用大量的小离子像Sr、Eu来代替Ba离子，可以使发光亮度维持系数显著改进。