设计了193nm窄角度和宽角度入射增透膜以及正入射高反膜, 其中增透膜s和p偏振光透射率的最大偏差分别为0.17%和0.44%。结合标量散射理论和等效吸收层近似理论, 多层膜间的粗糙界面等效为薄的吸收层, 基于薄膜本征传输矩阵计算分析了不同界面粗糙度下的光谱性能。研究发现, 薄膜光谱性能随着界面均方根粗糙度的增加而急剧退化, 高反膜反射带宽也随之降低, 达到4nm时, 宽角度入射增透膜和高反膜光谱性能在193nm处分别退化2.04%和2.09%。界面粗糙度是影响高光谱性能真空紫外光学薄膜制备的重要因素。

Pr3+4f5d具有大的辐射跃迁速率, 是高效快响应闪烁体材料较有前景的发光中心离子。本文采用高温固相法制备了Pr3+掺杂Ba3La(PO4)3(BLP)光转换材料, 对其物相、真空紫外发光性质、X射线激发发光性质、发光衰减特性和发光热稳定性进行了表征。结果表明, BLP∶Pr3+具有高效的Pr3+4f5d宽带发光, 发光寿命为~15 ns, 且具有较好的发光热稳定性。在基质172 nm激发下, 存在基质到Pr3+4f5d的能量传递, 而在X射线激发下可能受表面缺陷影响未发现明显的Pr3+4f5d发光。本文研究结果表明, BLP∶Pr3+在作为真空紫外到UV-C光转换材料方面具有潜在的应用价值。本研究对于设计新型快响应闪烁体具有一定的指导意义。

基于局部热力学平衡和等温球体假设, 考察了氩等离子体的连续谱辐射(复合辐射和轫致辐射)和线谱辐射, 计算了不同球体半径Rp条件下氩等离子体在0.1 MPa、5000～25000 K条件下的全谱、真空紫外光谱和非真空紫外光谱的净辐射系数；着重分析了真空紫外光在全谱中的占比以及各种辐射机制对真空紫外光的作用。结果表明：当Rp=0 mm时(不考虑自吸收), 真空紫外光在全谱中的占比大于94.8%, 线谱是其主要的辐射机制；当Rp增大至1 mm时, 真空紫外光强烈的自吸收使其占比有所减小, 但在高于17000 K时仍然大于80%, 同时连续谱在真空紫外光中的作用变得重要；所得计算结果与其他研究者的计算结果和实验结果均吻合良好。

采用高温固相法制备了Cu掺杂天然方钠石光致发光粉末。使用电子探针能谱分析(EDS)和微区分析(EPMA)测出了天然方钠石所含的主要化学成分。用X射线衍射(XRD)研究了Cu掺杂对方钠石结构的影响。室温下测量了真空紫外-紫外-可见光光谱。结果表明，激发光谱中171 nm处的激发带属于基质吸收；202，255，280，290 nm左右的激发带是Cu+离子的3d10→3d94s跃迁引起的。Cu在方钠石晶体中以两种位置存在，分别为Cu+离子在Na+离子晶格位置上出现的Cu1位置和复合层间的Cu2位置，并形成Cu+ 离子的Cu1和Cu2发光中心。用不同波长光激发Cu1和Cu2发光中心得到的峰值分别位于420 nm和470 nm的蓝色荧光来源于Cu+离子内的3d94s→3d10电子跃迁。对样品的发光机理及浓度猝灭过程进行了探讨和研究。

基于合肥国家同步辐射实验室(NSRL)低能量真空紫外光源的特点, 研制了耦合式刀片低能束流位置探测器, 用于在线监测波荡器辐射出的低能量真空紫外相干光源的稳定性。探测器采用V型耦合式刀片作为探针, 基于错位安装、倾斜嵌入被测光束边缘和直流偏压捕集自由电子等技术有效增强光电效应, 提高探针的响应灵敏度和探测器监测精度。介绍了耦合式刀片低能束流位置探测器的结构特点、探测原理和性能测试, 在线监测了NSRL波荡器光源的稳定性, 获得了一系列有价值的试验数据。结果表明：该探测器能完成NSRL-0.8GeV低能储存环上插入件光源的在线监测, 满足对改造后的新光源各插入件辐射光束位置稳定监测的要求。

采用水热蒸发法制备了NaCl∶Ce3+荧光粉， 并通过X射线衍射（XRD）研究了材料的晶体结构。 测量并分析材料在室温下的真空紫外激发光谱及相应的发射光谱。 结果表明309和324 nm的发射峰， 对应于Ce3+离子的5d→4f(2F5/2, 2F7/2)跃迁； 激发谱显示6个峰， 峰位分别为148， 190， 205， 216， 232和247 nm。 148 nm的激发峰是基质吸收引起的； 190， 205， 216， 232和247 nm是Ce3+的4f→5d跃迁引起的。

采用Pechini 溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Ce3+离子掺杂的硅酸镥(Lu2SiO5) 薄膜，利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、真空紫外光谱(VUV) 及椭偏(SE) 测试对Ce∶Lu2SiO5 薄膜的物相、形貌、发光性质和光学常数进行了表征。结果表明: 薄膜样品从900 ℃开始晶化，1 100 ℃时晶化完全。薄膜表面均匀、平整、无裂纹。真空紫外激发光谱中存在较强的基质发射，发射光谱是一个350～500 nm 的宽带谱，宽带中心在400 nm左右。折射率、消光系数分别为1.82～1.94和0.005～0.05，厚度与SEM测试结果相一致。

在空气中900 ℃温度下, 将纯天然无水芒硝(Na2SO4)和MnCl2的混合粉末900 ℃加热20 min后, 迅速骤冷至室温制备了Na2SO4∶Mn发光材料, 并测量了其在室温中真空紫外光激发下的光致发光谱。实验结果表明, 在172 nm激发下的发射光谱由峰值位于在592 nm处的宽带谱构成, 所得到的宽带谱归属于Mn2+的3d电子组态内4T1→6A1的辐射跃迁。红色发光监测得到的激发光谱分为两类: 峰值位于165, 233 nm处的基质吸收带和位于191, 275 nm处的Mn2+的吸收带。MnCl2掺杂的质量分数在0.1%~0.4%范围内, 随着Mn掺杂量的增加, Mn激活无水芒硝(Na2SO4∶Mn)的发射光谱强度相应增强, 质量分数达到0.3%后出现浓度猝灭现象。

采用高温固相反应方法在空气中制备了Na2SO4∶Tm3+发光材料。 用X射线衍射对晶体结构进行了表征。 发射光谱由Tm3+内4f12电子跃迁的窄峰组成。 激发光谱分别由Tm3+离子4f12→4f11 5d跃迁(183 nm)， O2--Tm3+之间的电荷转移带(170 nm)引起的强激发谱和基质吸收(130， 223， 258 nm)引起的弱激发谱组成。 TmF3激活无水芒硝在真空紫外的激发光谱在浓度大于8 mg时有猝灭现象。

叙述了中国科学技术大学国家同步辐射实验室800 MeV电子储存环同步辐射的特性及作为光谱辐射亮度基准的原理和方法,精确计算出同步辐射光源光谱功率空间分布,并在计量学上将同步辐射“经典”理论与标定氘灯光谱辐射亮度结合起来,对“同步辐射作为标准源进行光谱辐射功率计量”进行深入的研究。介绍了国家同步辐射实验室计量光束线站的装置,该装置利用同步辐射波长范围宽、亮度高、辐射特性可精确计算等特点,可用于标定传递标准氘灯的光谱辐射亮度(115～350 nm),并进行了不确定度分析。并与德国技术物理研究院(PTB)标定的氘灯光谱辐射亮度进行比较,两者符合。