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相同关键词【等离子体氧化】论文列表

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薄膜

低温等离子体氧化α-Si:H薄膜的蓝光发射

石旺舟梁厚蕴欧阳艳东

作者单位

摘要

汕头大学物理系,汕头 515063

通过荧光光谱研究了放电等离子体氧化的α-Si:H薄膜的荧光特性，在450nm～500nm范围内常温下观察到强蓝光发射，发光强度随沉积氧化的周期数增加而增强。发射带呈七峰结构，位置分别为460nm、465nm、472nm、478nm、485nm、490nm、496nm。实验结果直接证明了蓝光发射与缺陷能级有关，其起源于Si-O结合特定组态而形成的发光中心。

α-Si:H薄膜等离子体氧化蓝光发射

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光学学报

2001, 21(6): 676