1 中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083
2 山东大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250100
3 中国科学院上海技术物理研究所,红外物理国家重点实验室,上海,200083
利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究.通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的色散曲线以及载流子浓度和迁移率.将得到的电学参数同霍耳测量结果进行了比较.
氮化镓 红外椭偏光谱 折射率 载流子浓度 迁移率 GaN Infrared spectroscopic ellipsometry（IRSE） Refractive index Cartier concentration Electron mobility
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083
用红外椭圆偏振光谱测量了室温下Hg1-xCdxTe(x=0.276,0.309,0.378)体材料位于禁带宽度之下、附近和之上的折射率.对每一种组份样品均观察到明显的折射率增强效应.折射率峰值所对应的能量位置近似等于其禁带宽度.禁带宽度之上折射率随波长λ变化可用Sellmeier色散关系n2(λ)=a1+a2/λ2+a3/λ4+a4/λ6进行拟合.
红外椭偏光谱 折射率 infrared spectroscopic ellipsometry refractive index Hg1-xCdxTe. Hg1-xCdxTe.
