河南大学光学与光电子技术研究所,河南大学物理与电子学院,河南,开封,475004
在自制的孔径约15nm多孔氧化铝模板上沉积银纳米粒子,然后用电化学方法在此衬底上沉积CdS纳米微粒.研究了CdS纳米阵列在457.5nm波长激光激发下的表面增强拉曼散射(SERS)性质.实验结果显示CdS的SERS信号有三个振动模式,分别对应1LO、2LO和3LO纵光学声子模,它们的强度随着作为SERS衬底的银纳米粒子高度的增加而增强, 当银纳米粒子的长/径比(长度与直径的比值)达到4时,这种增强趋近饱和.最后对CdS纳米微粒光学声子模的增强机理进行了分析和讨论.
CdS纵光学声子模 多孔氧化铝模板 表面增强拉曼光谱
1 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东,广州,510631
2 华南师范大学激光生命科学研究所,广东,广州,510631
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AIGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱.由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模.根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现A1P-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量.
光电子学 拉曼光谱 耦合电子(空穴)气-纵光学声子模 optoelectronics AlGaInP/GaInP MQW AlGaInP/GaInP MQW Raman spectra coupled electron（hole）-plasmon -LO-phonon mode
1 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
2 中国科学院物理研究所,北京,100080
在T=77 K,测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223 cm-1和422 cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的.这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致.
超晶格 等离子激元 纵光学声子 耦合模 superlattice plasmon longitudinal optical phonon coupling modes
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
本文首次利用室温非共振喇曼后向散射测得具有7.3％晶格失配的ZnSe-ZnTe应变层超晶格限制在ZnSe层中的纵光学声子模。计算了限制效应引起的声子模频率的红移,以及弹性应变引起的声子模的移动,它比前者大得多。ZnSe层所受拉伸应变引起声子频率红移,ZnTe层所受压缩应变引起声子频率蓝移。同时在喇曼光谱中观察到由于这种效应导致出现的纵光学声子折叠模。
分子束外延 应变层超晶格 喇曼散射 纵光学声子 弹性应变 限制模 折叠模
