1 山东大学物理与微电子学院，山东 济南 250100
2 山东大学光电材料与器件研究所，山东 济南 250100
在室温下测量了GaAs／Al0．3Ga0．7As超晶格的光致发光，发现在波长λ=761nm处存在一较强的发光光峰，此发光峰目前尚未见报道。经理论分析表明，此峰是量子阱中的第一激发态电子与受主空穴复合发光。实验还观测到在λ=786nm处，λ=798nm处和λ=824nm处分别存在一发光峰，分析表明λ=786nm处的发光峰为量子阱阱中费米能级附近的电子与轻空穴复合发光；λ=798nm处的发光峰为量子阱内的基态电子到轻空穴的复合发光；λ=824nm处的发光峰为阱中激子复合复合发光。理论计算与实验结果符合的很好。
超晶格 光致发光 GaAs/AlGaAs GaAs／AlGaAs superlattice photoluminescence
1 山东大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250100
2 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100
基于傅里叶光学的知识,分别对量子阱红外探测器的一维和二维光栅耦合模式进行了研究,得到器件的相对吸收率随波长和光栅周期之比的变化曲线,把此曲线作为优化光栅常数的依据.对于给定峰值波长的探测器,在波长与一维光栅周期之比为1时,吸收率最大;波长与二维光栅周期之比为0.7时,吸收效率最高,结果与已发表的数据相符.此外,还对刻蚀误差的影响进行了讨论,当实际刻蚀的光栅常数与优化的有偏差时,耦合效率降低.
量子阱 光栅耦合 光栅参数
1 山东大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250100
2 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100
3 青岛大学,机电工程学院,山东,青岛,266000
4 中国科学院,物理研究所,北京,100080
利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法.此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两种方法所得结果趋于一致.这表明新方法更适合计算具有较宽势垒超晶格的电子态.另外,用新方法对超晶格样品的光电流谱进行了分析,所得结果比K-P方法更接近实验值.由此证实了量子干涉效应引起的电子能态的存在和新方法在量子阱红外探测器能带结构设计中的实用性.
红外探测器 超晶格材料 量子干涉效应 K-P方法 能带结构 Infrared photodetector Superlattice material Quantum interference effect K-P model Energy band structure
1 山东大学,物理与微电子学院,山东,济南,250100
2 山东大学,信息与工程学院,山东,济南,250100
3 中国科学院物理研究所,北京,100080
4 山东聊城大学,物理科学与信息工程学院,山东,聊城,252059
通过测量多量子阱材料的Raman散射谱,可以预测出:由该种材料制出的量子阱红外探测器的响应峰值波长.它既不需要实际制出量子阱红外探测器,也不需要对多量子阱结构材料进行抛光处理,方法简便,结果可靠.
量子阱红外探测器 响应峰值波长 Raman散射测量 quantum well infrared detector response peak wavel
1 山东大学物理与微电子学院,济南,250100
2 中国科学院物理研究所,北京,100080
在T=77 K,测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223 cm-1和422 cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的.这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致.
超晶格 等离子激元 纵光学声子 耦合模 superlattice plasmon longitudinal optical phonon coupling modes
1 山东大学光电材料与器件研究所,济南,250100
2 中国科学院物理研究所,北京,100080
测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T=77K时的光电流谱,发现在波数v=1589cm-1存在一个强电流峰.理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关.据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致.
超晶格 界面 电子反射 superlattice interface electron reflection
1 山东大学光电材料与器件研究所,山东,济南,250100
2 中国科学院物理研究所,北京,100080
在77K温度,测量了GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流,观测到在ν=1589cm-1,即λ=6.29μm附近存在一个强电流峰,分析认为,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关.根据电子干涉理论计算出的电流峰位置与实验结果非常一致.
多量子阱结构 光电流 电子干涉. multiquantum welll photocurrent electron interference.
