为了维修TFT-LCD电路缺陷, 利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜, 讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下, 波长为351 nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜, 通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响, 再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明, 激光功率或激光束光斑尺寸越大, 薄膜基底损伤越大, 但电阻率越小, 且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤; 激光辐射速度越大, 基底损伤越小, 但电阻率越大。通过平衡工艺参数, 得到了电阻率为0.96 Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜, 成分分析表明此时W(CO)6已经完全裂解。