范丽莎 1,2,3刘帆 1,2,3吴国龙 1,2,3VolodymyrS. Kovalenko 1,2,3,4姚建华 1,2,3,*
作者单位
摘要
1 浙江工业大学激光先进制造研究院,浙江 杭州 310023
2 浙江工业大学机械工程学院,浙江 杭州 310023
3 高端激光制造装备省部共建协同创新中心,浙江 杭州 310023
4 乌克兰国立科技大学激光技术研究所,乌克兰 基辅 03056
激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备上有着巨大的应用前景。围绕激光化学气相沉积技术,本文详细阐述了激光热解离、激光光解离与激光共振激发解离作用机制,同时介绍了各类LCVD的常用设备,着重总结了LCVD在金属材料、碳基材料、氧化物材料以及半导体材料等各类材料制备应用上的最新研究进展,特别介绍了LCVD制备过程中常用的检测与分析方法,最后讨论了激光化学气相沉积技术目前所面临的挑战与机遇,并展望了该技术的发展前景。

激光化学气相沉积 薄膜制备 热解离 光解离 共振激发解离 laser chemical vapor deposition thin film preparation laser pyrolysis laser photolysis laser resonance excitation sensitization 
光电工程
2022, 49(2): 210333
作者单位
摘要
1 福州京东方光电科技有限公司, 福建 福州 350300
2 北京京东方传感技术有限公司, 北京 100176
为了维修TFT-LCD电路缺陷, 利用激光化学气相沉积法(LCVD)沉积钨薄膜, 讨论成膜参数对基底损伤、钨薄膜电阻率的影响。在空气氛围下, 波长为351 nm的脉冲激光诱导W(CO)6裂解成膜, 通过聚焦离子束-扫描电子显微镜(FIB-SEM)观察薄膜横截面研究成膜参数对基底损伤的影响, 再用高精度的电参数测试仪(EPM)测试不同参数下钨薄膜电阻。控制变量法表明, 激光功率或激光束光斑尺寸越大, 薄膜基底损伤越大, 但电阻率越小, 且不沉积薄膜时高功率激光辐射也不会造成基底损伤; 激光辐射速度越大, 基底损伤越小, 但电阻率越大。通过平衡工艺参数, 得到了电阻率为0.96 Ω/μm、对基底无损伤的钨薄膜, 成分分析表明此时W(CO)6已经完全裂解。
激光化学气相沉积法 缺陷维修 电阻率 TFT-LCD TFT-LCD laser chemical vapor deposition defect repair W(CO)6 W(CO)6 electrical resistivity 
液晶与显示
2019, 34(8): 755
作者单位
摘要
1 长沙大学电子与通信工程系,长沙,410003
2 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082
利用激光化学气相沉积(LCVD)方法,以钛金属有机化合物为前驱体,以O2为反应气体,在激光功率PL为0~200 W、基板预热温度为400~700℃的条件下,制备出了金红石型TiO2薄膜和金红石型与锐钛矿型混合TiO2薄膜。研究表明,激光功率和基板预热温度对所沉积的TiO2薄膜的物相组成、截面组织,表面形貌和薄膜生长速度均有着显著的影响。
功能材料 二氧化钛 激光化学气相沉积 薄膜 
激光与光电子学进展
2007, 44(8): 57

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