1 西安交通大学 电子信息学院, 西安 710049
2 苏州珂晶达电子有限公司, 江苏 苏州 215021
3 西北核技术研究所, 西安 710024
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下GGMOS型的静电放电(ESD)防护器件效应进行了数值模拟研究。对ESD器件在HPM作用下的响应特性及器件内部的物理图像进行了数值模拟。数值模拟的结果表明，外部注入HPM信号的幅值和频率是影响ESD器件的因素，在加载30 ns脉宽的HPM脉冲作用下，器件内部达到的最高温度与信号幅值成正指数关系。在给ESD注入相同幅值的HPM信号时，频率越大，器件达到失效温度所需要的时间越长。
高功率微波 静电放电器件 半导体 数值模拟 high power microwave MOSFET MOSFET electrostatic discharge device semiconductor numerical simulation 强激光与粒子束
2016, 28(3): 033024
