在对皮秒激光划片加工所涉及的基本原理和设备进行简单介绍的基础上,对红外焦平面组件封装中常涉及的一些材料的特点及其与皮秒激光束的作用机理进行了梳理。通过优化激光参数设置提高了划片效率并保证了划片质量；通过改进工夹具避免了金属层损伤且改善了操作方便性。

介绍了近红外固体激光器中2.06 m激光偏振膜的用途、设计与制备方法。基于薄膜光学的基本理论以及三种不同膜系结构的对比,确定了初始膜系结构。讨论了薄膜选材、通带波纹压缩、工艺制备等相关技术问题。利用计算机优化软件对膜系结构进行了反复优化。采用电子束真空蒸镀和离子源辅助沉积工艺完成了偏振膜的制备,并对其进行了光谱检测。然后根据测试结果对制备过程中的相关参数进行了优化,最终制备出了光学性能优异、膜层吸收少、均匀性好、稳定性高的激光偏振膜。

常规侧向探测天线主波束垂直于天线辐射面,会导致飞行探测漏报率高,因此有必要研究具有前倾探测功能的天线,以提高探测准确率。基于HFSS软件,设计了狭缝天线结构。设计的输入参数如下：频段为36.85~37.15 GHz,收发隔离度优于50 dB,前倾角为20°~24°,旁瓣抑制度要求大于-10 dB,天线长度小于85 mm,方位角大于80°,俯仰角小于11°,增益大于11 dB。测试结果表明,天线增益为12 dB,在36.85~37.15 GHz条件下,方位角位于116°~134°之间,俯仰角位于8°~9°之间,前倾角在22°~24°之间,旁瓣抑制度位于-11.45~-14.60 dB之间,且波束方向可控。在36.5~37.5 GHz频率范围内,驻波比保持在1.413以下,收发隔离度保持在-51.132以下,天线总长度为83 mm。该天线的测试结果与设计一致,能满足设计要求,为无人机侧向探测器提供天线技术支撑。

在砷化镓(GaAs)集成无源器件(Integrated Passive Device, IPD)的制作工艺中,通孔刻蚀是一道重要环节。蚀刻孔边缘的GaAs会被蚀刻,由此引发崩边并对器件性能及可靠性造成不利影响。本文中,用于通孔蚀刻的GaAs厚度不小于200 m,通孔边缘没有被蚀刻的痕迹,以实现金属导线的平滑连接。采用光阻和金属来充当掩膜,有效解决了单一光阻因厚度过高而变形或者厚度薄导致GaAs衬底被蚀刻的问题。通过优化工艺,在光阻厚度为32 m、金属掩膜厚度为0.5 m、金属蚀刻时间为60 s以及感应耦合等离子体(Inductively Couple Plasma, ICP)蚀刻4000 s的条件下,得到了孔深为200 m且通孔边缘平整的形貌。分析了 GaAs 崩边形成的主要原因与机理,并通过优化工艺解决了200 m通孔的崩边问题,从而提高了器件性能及可靠性。

在无人机GPS信号丢失的情况下,测试桩的视觉辅助识别精度是影响油气管线自动巡检工作的关键因素。针对测试桩自动识别的精度问题,在分析测试桩及其周围地物背景目标特性的基础上,先用深度学习算法判断出测试桩被周围地物背景遮挡的情况。对于被遮挡的测试桩,采用不显著目标相对定位算法检测出测试桩的具体位置。最后通过现场采集的数据实验验证了文中算法的有效性。

本研究的目的是探索癫狂患者红外热图的特征,为红外热成像检测技术在癫狂病的诊断应用奠定基础。采用简单随机抽样调查、设立对照的方式,共采集600人的红外热图数据,癫狂组人数与正常组人数之比为5∶1。对入组的癫狂患者进行辨证分型。采集所有受试者的红外热图数据,检测其上、中、下三焦、督脉、任脉等共15个区域的相对温差(即ΔT),进行配对T检验。结果表明,癫狂患者中虚证占91.6%。癫狂组与正常组比较,上焦、督脉、虚里、右胁这4个测量区域的ΔT有显著的统计学差异(P＜0.05)。其中,癫狂患者的上焦、督脉及虚里的ΔT较正常人低,而右胁的ΔT则较正常人高。临床癫狂患者中虚证居多；红外热成像作为无创功能影像客观评价指标,对癫狂病的诊断具有临床应用价值。

为观察失眠患者相关经脉腧穴的红外体表温度变化规律,利用红外人体表面温度快速筛检仪采集失眠患者和健康自愿者的督脉、膀胱经、脾经、心经和阴阳跷脉上穴位的体表温度,并对比两组同名穴位的温度差值(腋下温度--穴位温度)的差异。结果表明,失眠组患者的督脉、膀胱经颈背部腧穴温度较对照组下降更明显(P＜0.05)。脾经腧穴的温度虽然下降,但与对照组比较无明显差异。对于心经腧穴,部分病例出现温度下降,部分出现上升现象,与对照组比较有显著差异(P＜0.05)。阴跷脉腿部腧穴的温度下降(P＜0.05),阳跷脉头部腧穴的温度上升(P＜0.05)。由此可知,失眠患者经脉腧穴体表温度的变化体现了失眠的内在病机——“阳亢于上,阴甚于下,阳不入阴”,临床可根据红外热成像的检测结果选穴治疗。

制备高质量锑化铟(InSb)单晶是发展大规模红外焦平面器件以及新型高温红外探测器衬底材料的关键。而在用直拉法生长InSb的过程中,表面杂质的出现会严重影响成品率。利用X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)技术研究了生产中InSb晶体表面杂质膜层的成分,分析了其主要来源及造成的影响,并采取相应工艺措施进行了改进。结果表明,InSb晶体表面杂质膜层的主要成分为In2O3、Sb2O3和Sb2O5三者的混合物以及碳沾污,其厚度不超过40 nm。通过对单晶炉处理和保护气氛的工艺优化,表面杂质大大减少,为获得高质量晶体奠定了基础。