激光与光电子学进展, 2007, 44 (2): 29, 网络出版: 2007-02-26
Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究
摘要
研究了制备态和退火态Zn1-xCoxO非匀质磁性半导体的极向克尔谱, 发现通过调制样品成分和退火处理, 可以大幅度调制极向克尔谱。退火后样品的磁光克尔旋转角得到显著增强, 克尔角最大值达到0.72°, 这是由于退火后样品变成了Co颗粒和Zn1-xCoxO磁性半导体的纳米复合体系。
Abstract
张云鹏, 颜世申, 陈延学, 刘国磊, 梅良模, 王松有, 陈良尧. Co-ZnO非匀质磁性半导体的磁光克尔效应研究[J]. 激光与光电子学进展, 2007, 44(2): 29. 张云鹏, 颜世申, 陈延学, 刘国磊, 梅良模, 王松有, 陈良尧. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2007, 44(2): 29.