中国激光, 2000, 27 (11): 969, 网络出版: 2006-08-09   

半导体激光器光强光热调制特性的研究

Study on Photothermal Intensity-modulation Characteristics of Laser-diode
作者单位
中国科学院上海光机所, 上海 201800
摘要
由光热调制半导体激光器物理模型出发,从理论上推导出半导体激光器结温变化与相关物理量的关系式,并从光热调制实验中得出光强调制同调制频率及半导体激光器偏置电流的关系,为选择半导体激光器恰当的光热调制参数,以降低光强调制干扰,从而实现纳米精度干涉测量提供重要依据。
Abstract
Based on the physical model of a laser diode (LD) modulated utilizing photothermal effect, the relations of the photothermal intensity-modulation depth of the LD with the modulation frequency and injection current are theoretically and verify experimentally deduced. It is useful for determining appropriate modulation frequency and injection current in LD interferometer with a photothermal modulation to reduce the influence of light-intensity modulation and realize nanometer-accuracy interferometer measurement.

卢洪斌, 王向朝, 王学锋, 钱锋, 宋松, 陈高庭, 方祖捷. 半导体激光器光强光热调制特性的研究[J]. 中国激光, 2000, 27(11): 969. 卢洪斌, 王向朝, 王学锋, 钱锋, 宋松, 陈高庭, 方祖捷. Study on Photothermal Intensity-modulation Characteristics of Laser-diode[J]. Chinese Journal of Lasers, 2000, 27(11): 969.

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