日本Nikon公司已研制成一种制作印刷电路板的激光成像系统，它是日本公司第一种这样的产品。由于激光书写直接把电路图形写到印刷电路板衬底上，消除了普通光刻生产中的几个步骤，LP-300D型系统使印刷电路板的交货时间缩减了一半。这种系统虽然昂贵，但由于加速了样板的生产(这是日本高度竞争的印刷电路板工业中的一个关键因素)，它还是成功的。
激光与光电子学进展
1986, 23(12): 41
华盛顿海军研究实验室的D. Tran已研制成一种氟化物光纤，其损耗低于1.0 dB/km。如果这种光纤可以达到0.01~0.001 dB/km的理论损耗极限值，则长距铺没海底光缆可以不用中继器。
激光与光电子学进展
1986, 23(12): 40
据五角大楼最近向国会透露的一篇报告说，在星球大战技术的五个方面中，美国约有4个方面领先于苏联。在定向能**方面，除某些类型的激光器苏联领先外，双方大致均等。在动能**方面，美国的命中杀伤技术领先，但电磁发射器水平接近。
激光与光电子学进展
1986, 23(12): 39
英国Isomet激光系统公司已宣布将声光束偏转应用于可编程序激光标记。以往的激光标记都以掩模投射技术或机械反射镜光束扫描为基础。声光技术的优点是速度高、可编程序。声光池响应迅速，可用改变外加电信号频率的方法进行简单控制。
在洛斯·阿拉莫斯的一次点火试验中，KrF激光器Aurora的电子束泵浦大孔径组件(LAM)创造了短波长准分子激光脉冲能量的新纪录，并获得令人鼓舞的效率。
1985年4月15日，罗彻斯特大学Omega钕玻璃激光装置创造了激光聚变中子产额的新纪录。虽然该装置已运行几年，但将24束红外激光输出变成3次谐波（351 nm)的全部转换工作刚刚完成。现在，利用该大学激光力能学实验室发展的KDP频率转换技术，到达靶上的紫外能量已高达2.4 kJ。
脉冲激光退火是一种用强激光脉冲修复晶态半导体因离子植入而引起的破坏从而改善退火材料结构次序和电气特性的技术。这种技术的机制过去几年是个热烈争论的课题，但是现在从所累积的大量测量证据来看，似乎热模型比非热核型更有利。
—个在14.8~18.5 μm之间可调谐的微微秒行波红外源已经产生了2 μJ的辐射。近年来,这种红外源的用途日益受到人们的注意,尤其在光通讯、多光子吸收研究、分子振动能转移和激光聚变方面。
加州大学伯克利分校K. L.陈和S. 王已研制 出一种用耦合腔方法制作单频二极管激光器的新变种,他们用化学蚀刻方法在折射率控制的沟道衬底InGaAsP激光器中形成三个腔。
光学衍射方法可以确定固体样品的晶体取向。本方法用于晶体需要精确调准的应用，如太阳电池半导体晶片和晶体振荡器的制造等。也适于表征太阳电池制造中用的小颗粒尺寸多晶硅衬底的特性。
