强激光与粒子束, 2007, 19 (8): 1377, 网络出版: 2008-02-18
用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系
Determining relationship between electron-beam dose and etching depth by empirical formula of contrast
摘要
为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系.选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符.当剂量在20～35 μC/cm2间时,实验值与计算值间的差值最小,说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系.采用该方法节省了实验时间,提高了刻蚀效率.
Abstract
卢文娟, 张玉林, 孔祥东, 郝慧娟. 用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系[J]. 强激光与粒子束, 2007, 19(8): 1377. 卢文娟, 张玉林, 孔祥东, 郝慧娟. Determining relationship between electron-beam dose and etching depth by empirical formula of contrast[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2007, 19(8): 1377.
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