强激光与粒子束, 2014, 26 (8): 084003, 网络出版: 2014-07-30
γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析
Mechanism of crossover of transconductance curves in 0.5 μm multi-finger NMOS FETs before and after γ irradiation
基本信息
| DOI: | 10.11884/hplpb201426.084003 |
| 中图分类号: | TN386.1;TP391.9 |
| 栏目: | 粒子束技术 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目(61176096) |
| 收稿日期: | 2014-01-08 |
| 修改稿日期: | 2014-05-09 |
| 网络出版日期: | 2014-07-30 |
| 通讯作者: | 潘立丁 (wakemeupkk@live.cn) |
| 备注: | -- |
潘立丁, 石瑞英, 龚敏, 刘杰. γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26(8): 084003. Pan Liding, Shi Ruiying, Gong Min, Liu Jie. Mechanism of crossover of transconductance curves in 0.5 μm multi-finger NMOS FETs before and after γ irradiation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26(8): 084003.
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