强激光与粒子束, 2014, 26 (8): 084003, 网络出版: 2014-07-30
γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析
Mechanism of crossover of transconductance curves in 0.5 μm multi-finger NMOS FETs before and after γ irradiation
多栅NMOS 转移特性 不均匀辐照 总剂量效应 计算机仿真 multi-finger NMOS transfer characteristics non-uniform irradiation total dose effects computer simulation
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