γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析

潘立丁; 石瑞英; 龚敏; 刘杰

doi:doi:10.11884/hplpb201426.084003

强激光与粒子束, 2014, 26 (8): 084003, 网络出版: 2014-07-30

γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析

Mechanism of crossover of transconductance curves in 0.5 μm multi-finger NMOS FETs before and after γ irradiation

潘立丁 ^1,2,3,*石瑞英 ^1,2,3龚敏 ^1,2,3刘杰 ^1,2,3

作者单位

¹ 四川大学物理科学与技术学院微电子学系, 成都 610064

² 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室, 成都 610064

³ 四川大学物理科学与技术学院, 微电子技术四川省重点实验室, 成都 610064

补充材料

潘立丁, 石瑞英, 龚敏, 刘杰. γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析[J]. 强激光与粒子束, 2014, 26(8): 084003. Pan Liding, Shi Ruiying, Gong Min, Liu Jie. Mechanism of crossover of transconductance curves in 0.5 μm multi-finger NMOS FETs before and after γ irradiation[J]. High Power Laser and Particle Beams, 2014, 26(8): 084003.

γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索

γ辐照前后多栅NMOS转移特性曲线交叉现象机理分析

相关论文

相关资讯

关于本站 Cookie 的使用提示

全站搜索