半导体光电, 2020, 41 (1): 80, 网络出版: 2020-04-13
温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析
Studying Influence of Temperature and Material Parameters on InAsxSb1-x Auger Recombination Life by Numerical Analysis
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2020.01.017 |
| 中图分类号: | TN215 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | -- |
| 收稿日期: | 2019-10-18 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2020-04-13 |
| 通讯作者: | 殷景志 (yjz886666@163.com) |
| 备注: | -- |
张景波, 张云琦, 王思文, 孙晓冰, 邢春香, 刘强, 殷景志. 温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析[J]. 半导体光电, 2020, 41(1): 80. ZHANG Jingbo, ZHANG Yunqi, WANG Siwen, SUN Xiaobing, XING Chunxiang, LIU Qiang, YIN Jingzhi. Studying Influence of Temperature and Material Parameters on InAsxSb1-x Auger Recombination Life by Numerical Analysis[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2020, 41(1): 80.
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