半导体光电, 2020, 41 (1): 80, 网络出版: 2020-04-13  

温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析

Studying Influence of Temperature and Material Parameters on InAsxSb1-x Auger Recombination Life by Numerical Analysis
作者单位
1 长春理工大学 光电信息学院, 长春 130114
2 吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点实验室, 长春 130012
补充材料

张景波, 张云琦, 王思文, 孙晓冰, 邢春香, 刘强, 殷景志. 温度和材料参数对InAsxSb1-x俄歇复合寿命影响的数值分析[J]. 半导体光电, 2020, 41(1): 80. ZHANG Jingbo, ZHANG Yunqi, WANG Siwen, SUN Xiaobing, XING Chunxiang, LIU Qiang, YIN Jingzhi. Studying Influence of Temperature and Material Parameters on InAsxSb1-x Auger Recombination Life by Numerical Analysis[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2020, 41(1): 80.

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