808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制

王贞福; 李特; 杨国文; 宋云菲

doi:doi:10.3788/cjl201744.0601004

中国激光, 2017, 44 (6): 0601004, 网络出版: 2017-06-08

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Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power

王贞福 ^1,*李特 ¹杨国文 ^1,2宋云菲 ¹

作者单位

¹ 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西西安 710119

² 西安立芯光电科技有限公司, 陕西西安 710077

引用该论文

王贞福, 李特, 杨国文, 宋云菲. 808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制[J]. 中国激光, 2017, 44(6): 0601004.

Wang Zhenfu, Li Te, Yang Guowen, Song Yunfei. Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power[J]. Chinese Journal of Lasers, 2017, 44(6): 0601004.

引用列表

1、半导体激光器研究进展中国激光, 2020, 47 (5): 0500001

2、高性能976 nm宽条半导体激光芯片中国激光, 2018, 45 (8): 801006

3、窄线宽1064 nm分布布拉格反射半导体激光器中国激光, 2018, 45 (5): 501006

王贞福, 李特, 杨国文, 宋云菲. 808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制[J]. 中国激光, 2017, 44(6): 0601004. Wang Zhenfu, Li Te, Yang Guowen, Song Yunfei. Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power[J]. Chinese Journal of Lasers, 2017, 44(6): 0601004.

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