中国激光, 2017, 44 (6): 0601004, 网络出版: 2017-06-08
808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制 下载: 737次
Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power
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王贞福, 李特, 杨国文, 宋云菲. 808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制[J]. 中国激光, 2017, 44(6): 0601004. Wang Zhenfu, Li Te, Yang Guowen, Song Yunfei. Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power[J]. Chinese Journal of Lasers, 2017, 44(6): 0601004.