中国激光, 2017, 44 (6): 0601004, 网络出版: 2017-06-08
808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制 
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Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power
基本信息
| DOI: | 10.3788/cjl201744.0601004 |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 激光器件与激光物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61504167)、中国科学院计划基金(Y429941233)、陕西省自然科学基金(2015JQ6263) |
| 收稿日期: | 2017-02-13 |
| 修改稿日期: | 2017-02-24 |
| 网络出版日期: | 2017-06-08 |
| 通讯作者: | 王贞福 (wzf2718@opt.ac.cn) |
| 备注: | -- |
王贞福, 李特, 杨国文, 宋云菲. 808 nm准连续600 W高功率半导体激光芯片研制[J]. 中国激光, 2017, 44(6): 0601004. Wang Zhenfu, Li Te, Yang Guowen, Song Yunfei. Development of 808 nm Quasi-Continuous Wave Laser Diode Bar with 600 W Output Power[J]. Chinese Journal of Lasers, 2017, 44(6): 0601004.
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