半导体光电, 2016, 37 (3): 353, 网络出版: 2016-09-14
氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究
Study on Chloride-based Homoepitaxial Growth on 4° Off-axis (0001) 4H-SiC Substrate
基本信息
DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2016.03.012 |
中图分类号: | TN304.054 |
栏目: | 材料、结构及工艺 |
项目基金: | 国网智能电网研究院项目(SGRI-WD-71-14-004)、 国家“863”计划项目(2014AA041402)、 国家自然科学基金项目(61474113, 61274007和61574140)、 北京市自然科学基金项目(4132076和4132074)、 中国科学院青年创新促进会项目(2012098) |
收稿日期: | 2015-12-07 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2016-09-14 |
通讯作者: | 闫果果 (ggyan@semi.ac.cn) |
备注: | -- |
闫果果, 张峰, 钮应喜, 杨霏, 刘兴昉, 王雷, 赵万顺, 孙国胜, 曾一平. 氯基条件下4H-SiC衬底的同质外延生长研究[J]. 半导体光电, 2016, 37(3): 353. YAN Guoguo, ZHANG Feng, NIU Yingxi, YANG Fei, LIU Xingfang, WANG Lei, ZHAO Wanshun, SUN Guosheng, ZENG Yiping. Study on Chloride-based Homoepitaxial Growth on 4° Off-axis (0001) 4H-SiC Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(3): 353.