阈值电压、栅内阻、栅电容是碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的重要电学参数, 但受限于器件寄生电阻、栅介质界面态等因素, 其提取过程较为复杂且容易衍生不准确性。文章通过器件建模和实验测试, 揭示了MOSFET的栅电容非线性特征, 构建了电容-电阻串联电路测试方法, 研究了SiC MOSFET的栅内阻和阈值电压特性。分别获得栅极阻抗和栅源电压、栅极电容和栅源电压的变化规律, 得到栅压为-10V时的栅内阻与目标值误差小于0.5Ω, 以及串联电容相对栅源电压变化最大时的电压近似为器件阈值电压。相关结果与固定电流法作比较, 并分别在SiC平面栅和沟槽栅MOSFET中得到验证。因此, 该种电容-电阻法为SiC MOSFET器件所面临的阈值电压漂移、栅极开关振荡现象提供较为便捷的评估和预测手段。

太赫兹时域光谱技术能够快速、宽频带测量物质在太赫兹频段的光学或介电常数, 是物质识别的重要技术.光学常数的测量准确度完全受到复杂的测量过程和数据处理所影响.针对正入射反射式THz光谱测量, 分析了在测量材料介电特性过程中的误差来源, 它们包括太赫兹幅值误差、位置误差以及样品倾斜误差.建立了单独表征每个误差来源对于光学常数影响的不确定度分量的公式.利用MATLAB仿真了每个误差来源对于光学参数不确定度的影响.

利用太赫兹时域光谱结合化学计量学对塑化剂定量检测技术进行了研究。提出了一种利用太赫兹透射光谱测量超薄液体样品光学常数的新方法。利用该方法，以一种典型塑化剂--邻苯二甲酸二丁酯（DBP）为例，采用内径为200 μm的比色皿作为样品载体测量了不同浓度DBP-无水乙醇和DBP-乙醇-水溶液在太赫兹波段下的折射率和吸收系数。结果表明随着DBP含量的增加，DBP-乙醇溶液和DBP-乙醇-水溶液在太赫兹波段（0.2~1.1 THz）的光学参数随DBP浓度均呈有规律的变化。根据吸收系数面积、平均折射率相对DBP浓度变化曲线建立了未知溶液DBP含量的预测模型。该研究表明太赫兹时域光谱技术可能成为快速检测白酒等含乙醇饮料中塑化剂含量的新方法。

利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积（HWLPCVD）系统, 在朝[11-20]方向偏转4°的（0001）Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长, 研究了生长温度及氯硅比（Cl/Si比）对外延生长速率的影响机理。研究发现, 外延生长速率随生长温度的提高呈线性增加, 而Cl/Si比的改变对生长速率的影响不大。文章进一步探究了Cl/Si比对4H-SiC外延层表面缺陷的影响。较低的Cl/Si比（0.4~2）可以减少或消除三角缺陷, Cl/Si比较高（大于5）时, 表面质量反而下降, 因而, 适当的Cl/Si比对于获得表面形貌良好的4H-SiC外延层至关重要。

基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对Ge 掺杂(GexSi1-xC)的6H-SiC 电学、光学特性进行了理论计算和分析。杂质形成能的计算结果表明，Ge 原子占据Si 位后能量更低，更加稳定。通过对电子结构、态密度和光学性质的比较发现，6H-SiC 的价带顶主要由C 的2 p 态占据，而导带底由Si 的3 p 态占据。随着更多的Ge 掺入，导带底位置逐渐由Si 的3 p 态电子决定转变为Ge 的4 p 态电子决定，同时导带底向低能方向移动，带隙变窄。比较介电常数发现，对Ge 掺入最多的Ge0.333Si0.667C，其电子跃迁机理比6H-SiC 简单，吸收边及最大吸收峰分别向低能方向红移了0.9 eV 及3.5 eV。

在回顾量子系统中有关纠缠探测的各种方法和纠缠度不同定义的基础上, 总结了探测两体或多体纠缠的几种分 离判据;分析了它们与正映射之间及其相互之间的关系;重点分析了纠缠目击者这种特殊的分离判据,包括它的定义 以及构造方法,并且从实验观点分析了它的应用。在已提出的公理化假设的纠缠测量思想基础上,讨论了理论上 各种两体纠缠度和多体纠缠度的定义以及各种纠缠度在实验中的估计问题。最后对各种非线性分离判据进行了分析。