光子学报, 2011, 40 (2): 199, 网络出版: 2011-03-08
一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备
Fabrication of Inverted Bottom Organic Light-emitting Device with Li3N n-type Doping Electron Injecting Layer
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | TN873.3 |
栏目: | |
项目基金: | 国家重点基础研究发展计划(No.2010CB327701)和吉林省科技厅支撑计划重点项目(No.20093056)资助 |
收稿日期: | 2010-08-30 |
修改稿日期: | 2010-10-22 |
网络出版日期: | 2011-03-08 |
通讯作者: | 张睿 (youth7@126.com) |
备注: | -- |
张睿, 李传南, 李涛, 崔国宇, 侯晶莹, 赵毅, 刘式墉. 一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备[J]. 光子学报, 2011, 40(2): 199. 张睿, 李传南, 李涛, 崔国宇, 侯晶莹, 赵毅, 刘式墉. Fabrication of Inverted Bottom Organic Light-emitting Device with Li3N n-type Doping Electron Injecting Layer[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2011, 40(2): 199.