一种采用Li3N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备 | 光子学报 -- 中国光学期刊网

光子学报, 2011, 40 (2): 199, 网络出版: 2011-03-08

一种采用Li₃N掺杂电子注入层的底发射倒置结构OLED的制备

Fabrication of Inverted Bottom Organic Light-emitting Device with Li₃N n-type Doping Electron Injecting Layer

张睿 ^*李传南李涛崔国宇侯晶莹赵毅刘式墉

作者单位

吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130012

有机发光器件倒置底发射结构 n型掺杂势垒 Organic light-emitting device Inverted bottom emitting Li3N Li3N n-type doping Barrier

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