发光学报, 2014, 35 (6): 637, 网络出版: 2014-06-10
InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响
Effect of Strain Derived from Embedded InAs Quantum Dots on The Transport Properties of Two-dimensional Gas in Modulation-doped Heterostructure
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20143506.0637 |
| 中图分类号: | TN304 |
| 栏目: | 材料合成及性能 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61106013, 11104226)、 国家“863”计划(2013AA031903)、 国家“973”计划(2010CB327501, 2011CB925604)资助项目 |
| 收稿日期: | 2014-02-24 |
| 修改稿日期: | 2014-03-30 |
| 网络出版日期: | 2014-06-10 |
| 通讯作者: | 田海涛 (haitaotian@aliyun.com) |
| 备注: | -- |
田海涛, 王禄, 温才, 石震武, 孙庆灵, 高怀举, 王文新, 陈弘. InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响[J]. 发光学报, 2014, 35(6): 637. TIAN Hai-tao, WANG Lu, WEN Cai, SHI Zhen-wu, SUN Qing-ling, GAO Huai-ju, WANG Wen-xin, CHEN Hong. Effect of Strain Derived from Embedded InAs Quantum Dots on The Transport Properties of Two-dimensional Gas in Modulation-doped Heterostructure[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(6): 637.
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