1 中国科学院物理研究所 清洁能源重点实验室,北京 100190
2 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室,北京新能源材料与器件重点实验室,北京 100190
3 中国空空导弹研究院,河南 洛阳 471009
采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子, Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.
分子束外延(MBE) 铟砷锑 组分控制 molecular beam epitaxy(MBE) InAsSb composition control
1 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院大学, 北京 100049
3 中国科学院物理研究所, 北京 100080
通过对甚长波量子阱红外探测器的变温变偏压光谱实验, 发现了光电流谱峰值响应波长与半高宽随偏置电压和温度变化均会发生变化, 尤其以小偏压下峰值移动明显.结合器件能带结构计算的结果, 提出了甚长波量子阱红外探测器中双激发态工作模型, 并阐明了其中束缚态-准束缚态跃迁模式中准束缚态的物理特性, 包括隧穿特性和热离化特性, 以及不同工作条件下这两种物理过程在形成光电流时的主导性.同时, 验证了甚长波量子阱红外探测器件的第一激发态随外界工作条件的变化会呈现出准束缚到准连续的变化特性.最后, 揭示了在甚长波量子阱红外探测器工作中束缚态-准束缚态跃迁工作模式对于降低器件暗电流、提升器件工作温度、提高器件探测率的有效性.
甚长波量子阱红外探测器 准束缚态 准连续态 探测率 VLQWIPs quasi-bound state quasi-continuousstate detectivity
1 中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室, 北京100190
2 天津工业大学 电气工程与自动化学院, 天津300387
3 西南科技大学理学院 极端条件物质特性实验室, 四川 绵阳621010
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品, 霍尔测试结果表明, 二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理, 得到了其应变分布图。结果表明, 应变主要分布在量子点的周围, 并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。
量子点 二维电子气 应力 分子束外延 quantum dots two-dimensional electron gas strain molecular beam epitaxy