太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (5): 855, 网络出版: 2018-01-25
子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响
Influence of sub-quantum-well and asymmetric quantum-barrier structures on the electrical characteristics of GaN RTD
基本信息
DOI: | 10.11805/tkyda201705.0855 |
中图分类号: | TN313+.2 |
栏目: | 微电子、微系统与物理电子学 |
项目基金: | 科学挑战专题资助项目(TZ2017003);中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心专项资助项目(MT2015-11-08);中国工程物理研 |
收稿日期: | 2016-12-07 |
修改稿日期: | 2017-03-08 |
网络出版日期: | 2018-01-25 |
通讯作者: | |
备注: | -- |
苏娟, 谭为, 高博. 子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(5): 855. SU Juan, TAN Wei, GAO Bo. Influence of sub-quantum-well and asymmetric quantum-barrier structures on the electrical characteristics of GaN RTD[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(5): 855.