太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (5): 855, 网络出版: 2018-01-25
子阱及非对称势垒对GaN RTD电学特性的影响
Influence of sub-quantum-well and asymmetric quantum-barrier structures on the electrical characteristics of GaN RTD
共振隧穿二极管 AlGaN/GaN异质结 InGaN子阱 非对称势垒 Resonant Tunneling Diode AlGaN/GaN heterojunction InGaN sub-quantum-well asymmetric quantum-barrier
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