中国光学, 2011, 4 (1): 86, 网络出版: 2011-04-01   

不同气体环境下532 nm激光诱导硅表面形貌的研究

Surface morphology of silicon induced by 532 nm nanosecond laser under different ambient atmospheres
作者单位
西南科技大学 理学院 激光与光电子实验室,极端条件物质特性实验室,四川 绵阳 621010
基本信息
DOI: --
中图分类号: TN249
栏目: 激光技术
项目基金: 四川省教育厅资助科研项目(No.08ZB006和No.09ZA128)、 西南科技大学博士研究基金资助项目(No.06ZX7113)
收稿日期: 2010-08-11
修改稿日期: 2010-10-13
网络出版日期: 2011-04-01
通讯作者: 杨宏道 (yanghongdao2006@163.com)
备注: --

杨宏道, 李晓红, 李国强, 袁春华, 邱荣. 不同气体环境下532 nm激光诱导硅表面形貌的研究[J]. 中国光学, 2011, 4(1): 86. YANG Hong-dao, LI Xiao-hong, LI Guo-qiang, YUAN Chun-hua, QIU Rong. Surface morphology of silicon induced by 532 nm nanosecond laser under different ambient atmospheres[J]. Chinese Optics, 2011, 4(1): 86.

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