不同气体环境下532 nm激光诱导硅表面形貌的研究

杨宏道; 李晓红; 李国强; 袁春华; 邱荣

中国光学, 2011, 4 (1): 86, 网络出版: 2011-04-01

不同气体环境下532 nm激光诱导硅表面形貌的研究

Surface morphology of silicon induced by 532 nm nanosecond laser under different ambient atmospheres

杨宏道 ^*李晓红李国强袁春华邱荣

作者单位

西南科技大学理学院激光与光电子实验室，极端条件物质特性实验室，四川绵阳 621010

图 & 表

杨宏道, 李晓红, 李国强, 袁春华, 邱荣. 不同气体环境下532 nm激光诱导硅表面形貌的研究[J]. 中国光学, 2011, 4(1): 86. YANG Hong-dao, LI Xiao-hong, LI Guo-qiang, YUAN Chun-hua, QIU Rong. Surface morphology of silicon induced by 532 nm nanosecond laser under different ambient atmospheres[J]. Chinese Optics, 2011, 4(1): 86.