生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响 | 半导体光电 -- 中国光学期刊网

半导体光电, 2012, 33 (3): 367, 网络出版: 2012-06-25

生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

Influence of Growth Pressure on the Optical and Electrical Properties of GaN Films

冯雷 ^1,*韩军 ¹邢艳辉 ¹范亚明 ²

作者单位

¹ 北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100124

² 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，江苏苏州215123

生长压力光致发光载流子浓度载流子迁移率 GaN GaN MOCVD MOCVD growth pressure photoluminescence carrier concentration carrier mobility

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冯雷, 韩军, 邢艳辉, 范亚明. 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响[J]. 半导体光电, 2012, 33(3): 367. FENG Lei, HAN Jun, XING Yanhui, FAN Yaming. Influence of Growth Pressure on the Optical and Electrical Properties of GaN Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2012, 33(3): 367.

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