激光与光电子学进展, 2015, 52 (2): 021602, 网络出版: 2015-01-21
基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究
Impurity-Free Vacancy Diffusion Induces Intermixing in GaInP/AlGaInP Quantum Wells Using SiO2 Encapsulation
基本信息
DOI: | 103788/lop52.021602 |
中图分类号: | O47 |
栏目: | 材料 |
项目基金: | 国家自然科学基金(61106043)和中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放基金(SKLST201304) |
收稿日期: | 2014-10-21 |
修改稿日期: | 2014-11-20 |
网络出版日期: | 2015-01-21 |
通讯作者: | 林涛 (llttlintao@163.com) |
备注: | -- |
林涛, 张浩卿, 孙航, 王勇刚, 林楠, 马骁宇. 基于SiO2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究[J]. 激光与光电子学进展, 2015, 52(2): 021602. Lin Tao, Zhang Haoqing, Sun Hang, Wang Yonggang, Lin Nan, Ma Xiaoyu. Impurity-Free Vacancy Diffusion Induces Intermixing in GaInP/AlGaInP Quantum Wells Using SiO2 Encapsulation[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2015, 52(2): 021602.