林涛 1,*孙航 1张浩卿 1林楠 2[ ... ]王勇刚 3
作者单位
摘要
1 西安理工大学自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710048
2 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
3 中国科学院西安光学精密机械研究所, 瞬态光学与光子技术国家重点实验室, 陕西 西安 710119
自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD 研究和应用现状。
材料 量子阱混杂 介质膜 量子点 
激光与光电子学进展
2015, 52(3): 030003
作者单位
摘要
1 西安理工大学自动化与信息工程学院, 陕西 西安 710048
2 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119
3 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
在红光半导体激光器芯片上采用SiO2 介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm 厚的GaInP 量子阱和三个8 nm 厚的AlGaInP 量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm SiO2介质膜。在不同温度下进行时长60 s 的高温快速退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火温度达到900℃时,样品获得29.5 nm 的最大波长蓝移;在750℃的退火温度下获得43 nm 的最小光谱半峰全宽。
激光器 蓝移 无杂质空位扩散 量子阱混杂 
激光与光电子学进展
2015, 52(2): 021602

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