激光与光电子学进展, 2017, 54 (1): 013102, 网络出版: 2017-01-17   

热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响 下载: 1506次

Influence of Thermal Annealing on Photoelectrical Properties of Indium-Tin Oxide Thin Films
作者单位
扬州乾照光电有限公司, 江苏 扬州 225101
引用该论文

肖和平, 郭冠军, 马祥柱, 张双翔. 热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2017, 54(1): 013102.

Xiao Heping, Guo Guanjun, Ma Xiangzhu, Zhang Shuangxiang. Influence of Thermal Annealing on Photoelectrical Properties of Indium-Tin Oxide Thin Films[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2017, 54(1): 013102.

引用列表
1、 低成本氧化铟锡基底的制备及其SERS活性人工晶体学报, 2022, 51 (2): 263
3、 纳米图形增强OLED出光效率研究激光与光电子学进展, 2018, 55 (2): 022301
4、 NbSiN薄膜的制备及光学性能研究激光与光电子学进展, 2017, 54 (3): 33101

肖和平, 郭冠军, 马祥柱, 张双翔. 热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2017, 54(1): 013102. Xiao Heping, Guo Guanjun, Ma Xiangzhu, Zhang Shuangxiang. Influence of Thermal Annealing on Photoelectrical Properties of Indium-Tin Oxide Thin Films[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2017, 54(1): 013102.

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