激光与光电子学进展, 2017, 54 (1): 013102, 网络出版: 2017-01-17
热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响 下载: 1506次
Influence of Thermal Annealing on Photoelectrical Properties of Indium-Tin Oxide Thin Films
基本信息
DOI: | 10.3788/lop54.013102 |
中图分类号: | O484.4 |
栏目: | 薄膜 |
项目基金: | -- |
收稿日期: | 2016-09-03 |
修改稿日期: | 2016-09-28 |
网络出版日期: | 2017-01-17 |
通讯作者: | 肖和平 (ietgu@163.com) |
备注: | -- |
肖和平, 郭冠军, 马祥柱, 张双翔. 热退火处理对氧化铟锡薄膜光电特性的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2017, 54(1): 013102. Xiao Heping, Guo Guanjun, Ma Xiangzhu, Zhang Shuangxiang. Influence of Thermal Annealing on Photoelectrical Properties of Indium-Tin Oxide Thin Films[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2017, 54(1): 013102.