半导体光电, 2017, 38 (1): 61, 网络出版: 2017-03-29
ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
Effects of ICP Etching Pressure on Electrical Properties of HgCdTe
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2017.01.014 |
| 中图分类号: | TN215 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目(11304335) |
| 收稿日期: | 2016-07-26 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2017-03-29 |
| 通讯作者: | 操神送 (armstrongssc@163.com) |
| 备注: | -- |
操神送, 杜云辰, 朱龙源, 兰添翼, 赵水平, 罗毅, 乔辉. ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响[J]. 半导体光电, 2017, 38(1): 61. CAO Shensong, DU Yunchen, ZHU Longyuan, LAN Tianyi, ZHAO Shuiping, LUO Yi, QIAO Hui. Effects of ICP Etching Pressure on Electrical Properties of HgCdTe[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2017, 38(1): 61.
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