光学学报, 2007, 27 (3): 494, 网络出版: 2007-03-15
刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性
Photoluminescence of InGaN/AlGaN Strained Multiple Quantum Wells Influenced by Dry Etching
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN383.1 |
| 栏目: | 材料 |
| 项目基金: | 国家重点基础研究计划(973计划, 2003CB314903)的资助课题。 |
| 收稿日期: | 2006-07-03 |
| 修改稿日期: | 2006-10-08 |
| 网络出版日期: | 2007-03-15 |
| 通讯作者: | 曹萌 (cm2004@mail.sim.ac.cn) |
| 备注: | -- |
曹萌, 吴惠桢, 劳燕锋, 刘成, 谢正生. 刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性[J]. 光学学报, 2007, 27(3): 494. 曹萌, 吴惠桢, 劳燕锋, 刘成, 谢正生. Photoluminescence of InGaN/AlGaN Strained Multiple Quantum Wells Influenced by Dry Etching[J]. Acta Optica Sinica, 2007, 27(3): 494.
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