光学学报, 2007, 27 (3): 494, 网络出版: 2007-03-15
刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性
Photoluminescence of InGaN/AlGaN Strained Multiple Quantum Wells Influenced by Dry Etching
Metrics
摘要访问:7884次
PDF 下载:143次
全文浏览:8次
总被查询:0次
曹萌, 吴惠桢, 劳燕锋, 刘成, 谢正生. 刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性[J]. 光学学报, 2007, 27(3): 494. 曹萌, 吴惠桢, 劳燕锋, 刘成, 谢正生. Photoluminescence of InGaN/AlGaN Strained Multiple Quantum Wells Influenced by Dry Etching[J]. Acta Optica Sinica, 2007, 27(3): 494.
PDF全文
