光学学报, 2007, 27 (3): 494, 网络出版: 2007-03-15
刻蚀改变InGaN/AlGaN应变多量子阱发光特性
Photoluminescence of InGaN/AlGaN Strained Multiple Quantum Wells Influenced by Dry Etching
光学材料 应变多量子阱 干法刻蚀 损伤 光致发光 materials strained multiple quantum wells dry etching damage photoluminescence
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