中国激光, 2013, 40 (1): 0106001, 网络出版: 2012-12-05
预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响
Effects of AlN Buffer Layer Thickness and Al Pre-Treatment on Properties of GaN/Si(111) Epilayer
基本信息
DOI: | 10.3788/cjl201340.0106001 |
中图分类号: | O436 |
栏目: | 材料与薄膜 |
项目基金: | 国家自然科学基金(61176126,61006084)和杰出青年基金(60925017)资助课题。 |
收稿日期: | 2012-07-30 |
修改稿日期: | 2012-09-17 |
网络出版日期: | 2012-12-05 |
通讯作者: | 廉瑞凯 (lianruikai@126.com) |
备注: | -- |
廉瑞凯, 李林, 范亚明, 王勇, 邓旭光, 张辉, 冯雷, 朱建军, 张宝顺. 预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响[J]. 中国激光, 2013, 40(1): 0106001. Lian Ruikai, Li Lin, Fan Yaming, Wang Yong, Deng Xuguang, Zhang Hui, Feng Lei, Zhu Jianjun, Zhang Baoshun. Effects of AlN Buffer Layer Thickness and Al Pre-Treatment on Properties of GaN/Si(111) Epilayer[J]. Chinese Journal of Lasers, 2013, 40(1): 0106001.