不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究 | 量子电子学报 -- 中国光学期刊网

量子电子学报, 2005, 22 (2): 251, 网络出版: 2006-05-15

不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究

Study on Schottky barrier of 4H-SiC at different anealing temperature

杨克勤 ^1,*陈厦平 ¹杨伟锋 ¹孔令民 ¹蔡加法 ¹林雪娇 ¹吴正云 ^1,2

作者单位

¹ 厦门大学物理系,福建,厦门,361005

² 厦门大学萨本栋微机电中心,福建,厦门,361005

光电子学 Schottky势垒高度退火 optoelectronics 4H-SiC 4H-SiC Schottky barrier height annealing

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