量子电子学报, 2005, 22 (1): 81, 网络出版: 2006-05-15
应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用
Optimization of MOCVD-growth strain InGaAs/GaAs quantum wells and its application for 980 nm LD
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 半导体光电 |
| 项目基金: | 国家973基金资助项目(G20000683-02)、国家863计划资助项目(2002AA312070)、北京市自然科学基金(4032007) |
| 收稿日期: | 2003-11-14 |
| 修改稿日期: | 2003-12-29 |
| 网络出版日期: | 2006-05-15 |
| 通讯作者: | 俞波 (yubo1978@hotmail.com) |
| 备注: | -- |
俞波, 盖红星, 韩军, 邓军, 邢艳辉, 李建军, 廉鹏, 邹德恕, 沈光地. 应变InGaAs/GaAs量子阱MOCVD生长优化及其在980 nm半导体激光器中的应用[J]. 量子电子学报, 2005, 22(1): 81. 俞波, 盖红星, 韩军, 邓军, 邢艳辉, 李建军, 廉鹏, 邹德恕, 沈光地. Optimization of MOCVD-growth strain InGaAs/GaAs quantum wells and its application for 980 nm LD[J]. Chinese Journal of Quantum Electronics, 2005, 22(1): 81.
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