光子学报, 2020, 49 (6): 0604002, 网络出版: 2020-11-26
基于感光栅极GaN高迁移率晶体管的新型探测器制备与优化 下载: 518次
Preparation and Optimization of Photosensitive Gate GaN-based High Electron Mobility Transistor Devices
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