液晶与显示, 2016, 31 (8): 773, 网络出版: 2016-10-24
利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究
Improved properties of organic light-emitting devices by utilizing CsN3 n-type doped electron transport layer
基本信息
| DOI: | 10.3788/yjyxs20163108.0773 |
| 中图分类号: | TN383+.1;TN312+.8 |
| 栏目: | 材料与器件 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金资助项目(No.61404053) |
| 收稿日期: | 2016-03-24 |
| 修改稿日期: | 2016-06-08 |
| 网络出版日期: | 2016-10-24 |
| 通讯作者: | 陈燕 (goldency@hgu.edu.cn) |
| 备注: | -- |
于瑶瑶, 陈星明, 金玉, 吴志军, 陈燕. 利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究[J]. 液晶与显示, 2016, 31(8): 773. YU Yao-yao, CHEN Xing-ming, JIN Yu, WU Zhi-jun, CHEN Yan. Improved properties of organic light-emitting devices by utilizing CsN3 n-type doped electron transport layer[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(8): 773.
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