利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究

于瑶瑶; 陈星明; 金玉; 吴志军; 陈燕

doi:doi:10.3788/yjyxs20163108.0773

液晶与显示, 2016, 31 (8): 773, 网络出版: 2016-10-24

利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究

Improved properties of organic light-emitting devices by utilizing CsN3 n-type doped electron transport layer

于瑶瑶 ^1,2陈星明 ^1,2金玉 ^1,2吴志军 ^1,2陈燕 ^1,2,*

作者单位

¹ 华侨大学信息科学与工程学院, 福建厦门 361021

² 厦门市移动多媒体通信重点实验室, 福建厦门 361021

补充材料

于瑶瑶, 陈星明, 金玉, 吴志军, 陈燕. 利用CsN3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究[J]. 液晶与显示, 2016, 31(8): 773. YU Yao-yao, CHEN Xing-ming, JIN Yu, WU Zhi-jun, CHEN Yan. Improved properties of organic light-emitting devices by utilizing CsN3 n-type doped electron transport layer[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(8): 773.