发光学报, 2014, 35 (4): 399, 网络出版: 2014-05-08
通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性
p-type Doping of ZnO∶N Thin Fims by Alternating The Growth Atmosphere
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20143504.0399 |
| 中图分类号: | O484.4 |
| 栏目: | 材料合成及性能 |
| 项目基金: | 国家“973”计划(2011CB302002,2011CB302005)、 国家自然科学基金(10974197, 11104265)资助项目 |
| 收稿日期: | 2013-09-25 |
| 修改稿日期: | 2014-02-17 |
| 网络出版日期: | 2014-05-08 |
| 通讯作者: | 赵鹏程 (pchzhao@163.com) |
| 备注: | -- |
赵鹏程, 张振中, 姚斌, 李炳辉, 王双鹏, 姜明明, 赵东旭, 单崇新, 刘雷, 申德振. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性[J]. 发光学报, 2014, 35(4): 399. ZHAO Peng-cheng, ZHANG Zhen-zhong, YAO Bin, LI Bing-hui, WANG Shuang-peng, JIANG Ming-ming, ZHAO Dong-xu, SHAN Chong-xin, LIU Lei, SHEN De-zhen. p-type Doping of ZnO∶N Thin Fims by Alternating The Growth Atmosphere[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2014, 35(4): 399.
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